YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 디스크 장치 (캡슐 유형)> 위상 제어 사이리스터> 고속 스위칭 사이리스터 센터 증폭 유형 DCR1059
고속 스위칭 사이리스터 센터 증폭 유형 DCR1059
고속 스위칭 사이리스터 센터 증폭 유형 DCR1059
고속 스위칭 사이리스터 센터 증폭 유형 DCR1059

고속 스위칭 사이리스터 센터 증폭 유형 DCR1059

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제품 속성

모형YZPST-DCR1059

상표YZPST

제품 설명

고출력 싸이 리스터 위상 제어

YZPST-DCR1059


달리 명시 되지 않는 한 모든 등급은 Tj = 25 oC로 지정됩니다 .

(1) 모든 전압 등급은 -40 ~ + 125 oC 온도 범위 에서 적용된 50Hz / 60zHz 정현파 파형에 대해 지정됩니다 .

(2) 10 msec. 최대 펄스 폭

(3) Tj = 125 oC에 대한 최대 값.

(4) 직선 및 지수 파형의 최소값 VDRM 80 %까지의 최소값 . 문 열어. Tj = 125 ℃.

(5) 비 반복 값.

(6) di / dt 값은 EIA / NIMA 표준 RS-397, 5-2-2-6 에 따라 설정됩니다 . 정의 된 값은 addi-

스 누버 회로에서 얻은 결과 로, 0.2 F 커패시터와 20 옴 저항을 테스트 대상인 사이리스터와 병렬로 구성합니다 .


특징 : . 모든 확산 된 구조 . 센터 증폭 게이트 구성 . 최대 2 1 00 V 까지 차단 기능

. 보장 된 최대 턴 오프 시간 . 높은 dV / dt 기능 . 압력 조립 장치



HIGH POWER THYRISTOR PHASE CONTROL

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

1080

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=80oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1700

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18000

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.6x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

-

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.45

 

V

ITM = 1000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

800

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


전기적 특성 및 정격 (계속)

게이팅

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

-

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

-

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

350

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

-

 

V

 


동적

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

50

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V

* 보장 된 최대량을 위해. 값은 공장에 문의하십시오.

온도 및 기계적 특성 및 등급

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.025

0.050

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.010

0.020

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

 

kN

 

Weight

W

 

 

480

g

About



* 장착 표면이 매끄럽고 납작하고 윤활 처리되어 있습니다.


사례 개요 및 크기

Types of High Current Fast Switching Thyristor DCR1059

 high current fast switching thyristor DCR1059
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