위상 제어용 전력 제어 사이리스터 1500A

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제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-KP1500A6500V

상표: YZPST

포장 및 배송

포장 종류	:	1. 정전기 방지 포장 2. 판지 상자 3. 플라스틱 보호 포장
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제품 설명

전력 제어 사이리스터

YZPST-KP1500A6500V

특징 : Spoke Amplifying Gate Configuration. 높은 dV / dt 기능. 모든 확산 된 구조. 압력 조립 장치.

전도 - 온 상태

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		1500		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=70^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		2800		A	Nominal value
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current	I_TSM		30000 27000		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		10x10⁶		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	I_L		1500		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		250		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.20		V	I_TM = 3000 A
Critical rate of rise of on-state current (5)	di/dt		300		A/ms	Switching from V_DRM£ 800 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current	di/dt		100		A/ms	Switching from V_DRM£ 800 V

게이팅

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		200		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		20		A
Gate current	I_GT		300		mA
Gate voltage	V_GT	0.30	3.5		V

동적

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

t_d

Turn-off time (with V_R = -50 V)

t_q

온도 및 기계적 특성 및 등급

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_{Q (j-c)}		0.012		^oC/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_{Q (c-s)}		0.002		^oC/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	8000	10000		lb. kN
Weight	W				Lb. Kg.