YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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고주파 사이리스터 전세계 수출
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포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-R0929LC12A

상표YZPST

제품 설명


전세계에 수출되는 경제적이고 효율적인 고주파 사이리스터

YZPST-R0929LC12A


위상 제어 애플리케이션을위한 고성능 사이리스터


THYRISTOR 1200V의 특징은 디지털화 된 증폭 게이트 구성 입니다. 최대 확산 시간을 보장하는 모든 확산 구조 . 압력 조립 장치

및 높은 dV / dt 기능.


전기 특성 및 등급


차단-꺼짐 상태


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = 반복적 인 피크 역 전압

V DRM = 반복적 인 피크 오프 상태 전압

V RSM = 비 반복 피크 역 전압 (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec



노트:

달리 명시되지 않는 한 모든 등급은 Tj = 25 oC로 지정됩니다.

(1) 모든 전압 정격은 -40 ~ + 125oC 온도 범위 에서 적용된 50Hz / 60zHz 정현파에 대해 지정됩니다 .

(2) 10msec 최대 펄스 폭

(3) Tj의 최대 값 = 125oC.

(4) 선형 및 지수 파형의 최소값은 80 % 정격 VDRM입니다. 문 열림 Tj = 125 ℃.

(5) 비 반복 가치.

(6) di / dt의 값은 EIA / NIMA 표준 RS-397, 섹션 5-2-2-6에 따라 설정됩니다. 정의 된 값은 테스트중인 스 리스터와 병렬로 0.2 F 커패시터와 20 옴 저항을 포함하는 우버 회로에서 얻은 값에 추가됩니다.


실시 중-상태

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

게이팅

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

동적

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

10

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

열 및 기계적 특성 및 등급

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* 매끄럽고 평평하며 기름칠 된 설치 표면

참고 : 케이스 개요 및 치수는이 기술 데이터 3 페이지의 케이스 개요 도면을 참조하십시오.



상세 이미지


YZPST-R0929LC12A HIGH POWER THYRISTOR

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