위상 제어를위한 판촉 용 고성능 사이리스터

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모형: YZPST-R219CH12FN0

상표: YZPST

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위상 제어를위한 고전력 사이리스터

YZPST-R219CH12FN0

풍모:

보장 된 최대 끄기 시간

. 모든 확산 구조

. 압력 조립 장치

. 디지털화 된 증폭 게이트 구성

. 높은 dV / dt 기능

전기 특성 및 등급

차단-꺼짐 상태

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
1200	1200	1300

V _RRM = 반복적 인 피크 역 전압

V _DRM = 반복적 인 피크 오프 상태 전압

V _RSM = 비 반복 피크 역 전압 (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

노트:

달리 명시되지 않는 한 모든 정격은 Tj = 25 ^o C로 지정됩니다.

(1) 모든 정격 전압은 적용

50Hz / 60zHz 정현파

온도 범위 -40 ~ + 125 ^O C.

(2) 10msec 최대 펄스 폭

(3) TJ 최대 값 125 = ^O C.

(4) 선형 및 지수 파형의 최소값을 80 % 정격 V _DRM . 문 열림 C. ^O TJ = 125

(5) 비 반복 가치.

(6) di / dt의 값은 다음에 따라 설정됩니다 EIA / NIMA 표준 RS-397, 섹션 5-2-2-6. 정의 된 값은 0.2 m F 커패시터와 측정 대상에 평행 thristor 20 ohmsresistance를 포함하는 ubber 회로에 의한 것 외에 것이다.

실시 중-상태

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		929		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=55^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1893		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 9.0		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		405x10³		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.04		V	I_TM = 1400 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		1500		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		1000		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

게이팅

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		2		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		3.0		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		5		V

동적

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0	-	ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		2.0	-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q	-	-	10	ms	I_TM=1000A, t_p=1000us, di/dt=60A/us, V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=200V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us