세륨을 가진 Westcode 사이리스터 힘 관제사 1200V
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모형: YZPST-R220CH12FJO
상표: YZPST
다기능 고속 스위칭 사이리스터
YZPST-R220CH12FJO
위상차 제어용 고성능 사이리스터 (CE 포함) 1200V
스위칭 사이리스터의 특징은 제품이 모든 확산 구조, 디지털화 된 증폭 게이트 구성, 보장 된 최대 턴 오프 시간, 높은 DV / DT 기능 및 압력 조립 장치를 갖추고 있다는 것입니다.
전기 특성 및 등급
차단-꺼짐 상태
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1200 |
1200 |
1300 |
VRRM = 반복적 인 피크 역 전압
VDRM = 반복적 인 피크 오프 상태 전압
VRSM = 비 반복 피크 역 전압 (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
15 mA 70 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
노트:
달리 명시되지 않는 한 모든 등급은 Tj = 25 oC로 지정됩니다.
(1) 모든 정격 전압은 적용
50Hz / 60zHz 정현파
온도 범위 : -40 ~ + 125oC
(2) 10msec 최대 펄스 폭
(3) Tj의 최대 값 = 125oC.
(4) 선형 및 지수 파형의 최소값은 80 % 정격 VDRM입니다. 문 열림 Tj = 125 ℃.
(5) 비 반복 가치.
(6) di / dt의 값은 EIA / NIMA 표준 RS-397, 섹션 5-2-2-6에 따라 설정됩니다. 정의 된 값은 테스트중인 스 리스터와 병렬로 0.2 F 커패시터와 20 옴 저항을 포함하는 우버 회로에서 얻은 값에 추가됩니다.
실시 중-상태
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
964 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1971 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
9.4 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
442x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.96 |
|
V |
ITM = 1400 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
게이팅
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
동적
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
25 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
열 및 기계적 특성 및 등급
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
32 64 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
10 |
20 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* 매끄럽고 평평하며 기름칠 된 설치 표면
참고 : 케이스 개요 및 치수는이 기술 데이터 3 페이지의 케이스 개요 도면을 참조하십시오.
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