고출력 고속 복구 다이오드
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포트: | SHANGHAI |
모형: YZPST-SD233N/R
상표: YZPST
고전력 고속 복구 다이오드
빠른 복구 다이오드, 스터드 버전
특징 : 고전력 고속 복구 다이오드 시리즈, 1.0 ~ 2.0 μs 복구 시간, 최대 5000V의 고전압 정격, 높은 전류 성능, 최적화 된 턴온 및 턴 오프 특성, Lo w 순방향 복구, 신속하고 부드러운 역 회복, 압축 결합 캡슐화, 스터드 버전 B-8, 최대 접합 온도 125 ° C
일반적인 응용 분야 : GTO 용 스 너버 다이오드, 신속한 복구, 정류기 애플리케이션
순방향 전도
Parameters |
PSTSD233N/R |
Units |
Conditions |
||
IF(AV Max. average forward current
@ Case temperature |
250 |
A |
180° conduction, half sine wave |
||
60 |
°C |
||||
IF(RMX) Max. RMS forward current |
390 |
A |
|
|
|
IFSM Max. peak, one-cycle forward
non-repetitive surge current |
5500 |
A |
t = 10ms |
No voltage
reapplied |
Initial TJ =TJmax. |
5760 |
A |
t = 8.3ms |
|||
I2t Maximum I2t for fusing |
150000 |
A2s |
t = 10ms |
No voltage
reapplied |
|
140000 |
A2s |
t = 8.3ms |
|||
I2√t Maximum I2√t for fusing |
1500000 |
KA2√s |
I2t for time tx = I2√t x √tx ;
0.1 ≤ tx ≤ 10ms, VRRM = 0V |
||
VFM Maximum forward voltage drop |
3.0 |
V |
TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm) |
||
IRRM Max. DC reverse current |
10.0 |
μA |
TJ = 25 oC, per diode at VRRM |
||
Trr |
5 |
μs |
|
윤곽선 표
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