1000V 전파 전체 단상 정류기 브리지 IC

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모형: YZPST-MDQ100(FUJI)-10

상표: YZPST

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1000V 전파 전체 단상 정류기 브리지 IC

YZPST-MDQ100 (후지) -10

정류기 브리지는 쉘에서 여러 개의 정류기 튜브를 밀봉하여 완전한 정류기 회로를 형성하는 것입니다. 전력이 더 증가하거나 다른 이유로 다중 위상 정류기가 필요할 때 3 상 정류기 회로가 제안됩니다. 3 상 정류기 브리지가 삼상 전파 정류기 브리지 (풀 브리지) 및 삼상 반 파장 정류기 브리지 (하프 브리지). 정류 브릿지를 선택할 때 회로 및 작동 전압을 고려해야한다. 출력 전압이 높은 정류기 회로에는 커패시터 , 출력 전압이 낮은 콘덴서를 설치할 수 있습니다.

단상 정류기 브리지 IdAV = 100A VRRM = 1000V

VRRM (V)	VRSM (V)	TYPE
1000	1100	MDQ100-10
1200	1300	MDQ100-12
1600	1700	MDQ100-16
1800	1900	MDQ100-18
2200	2300	MDQ100-22
2400	2500	MDQ100-24

Maximum Ratings

Symbol	Item		Conditions	Ratings	Unit
ID	Output current (D.C.)		Single phase. full wave. TC=117^oC	100	A
IFSM	Surge Forward Current		1 cycle, 50/60HZ, peak value, non-repetitive	910/1000	A
I²t	I²t		Value for one cycle of surge current	4100	A²S
Tj	Junction Temperature			-40 to +150	^oC
Tstg	Storage Temperature			-40 to +125	^oC
VISO	Isolation Breakdown Voltage(R.M.S.)		Main Terminal to case 1minute	2500	V
Md	Mounting torque	Mounting(M6)	Recommended Value2.5-3.9(25-40)	4.7(48)	N

전기적 특성

Symbol	Item	Conditions	Ratings	Unit
IRRM	Repetitive Peak Reverse Current, max.	Tj=150^oC at VRRM	5.0	mA
VFM	Forward Voltage Drop, max.	IFM=100A, Tj=25^oC Inst. measurement	1.2	V
Rth(j-c)	Thermal Impedance, max.	Junction to case	0.2	^oC/W