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모형: YZPST-KN1000A28-BSTR62186
상표: YZPST
비대칭 사이리스터
YZPST-KN1000A28-BSTR62186
전기적 특성 및 등급
비대칭 사이리스터 유형 : KN1000A28-BSTR62186
노트:
모든 등급은 Tj = 25 oC에 대해 규정되어있다.
그렇지 않으면 진술된다.
(1) 모든 전압 등급은 적용된
50Hz / 60zHz 사인 파형
온도 범위 -40 ~ + 125 oC.
(2) 10 msec. 최대 펄스 폭
(3) Tj = 125 oC에 대한 최대 값.
(4) 선형 및 지수의 최소값
파형 80 % VDRM 등급. 문 열어.
Tj = 125 ℃.
(5) 비 반복 값.
(6) di / dt 값은 다음에 따라 정해진 다.
EIA / NIMA 표준 RS-397, 섹션
5-2-2-6. 정의 된 값은 addi-
스 너버 (snubber) 회로에서 얻은 결과와 비교하면,
0.2 F 커패시터와 20 옴
사이리스터와 평행 한 저항
테스트.
차단 - 차단 상태
VRRM (1) |
VDRM (1) |
20 |
2800 |
V RRM = 반복 피크 역 전압
V DRM = 반복적 인 피크 오프 전압
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
100 mA
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
전도 - 온 상태
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
1000 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2200 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
20
|
|
KA |
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
2x106 |
|
A2s |
10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.42 |
|
V |
ITM =2000 A; Tj = 125 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
700 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
전기적 특성 및 등급
게이팅
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 300 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3.0 - |
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
동적
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
1.6 |
0.8 |
ms |
ITM =500 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
- |
55 |
ms |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
- |
- |
mC |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
* 보장 된 최대량을 위해. 값은 공장에 문의하십시오.
온도 및 기계적 특성 및 등급
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistance - case to heatsink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistance - junction to heatsink |
RQ (j-s) |
|
0.02 0.04 |
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
P |
19 |
26 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
about |
* 장착 표면이 매끄럽고 납작하고 윤활 처리되어 있습니다.
참고 : 케이스 개요 및 치수는이 기술 데이터의 마지막 페이지에있는 케이스 개요도를 참조하십시오.
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