PSTA62166 직경 75mm 비대칭 사이리스터 2500V

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모형: YZPST-KN1000A25-BSTR62166

상표: YZPST

제품 설명

비대칭 사이리스터

YZPST-KN1000A25-BSTR62166

전기적 특성 및 등급

비대칭 사이리스터 유형 : YZPST A60120

노트:

모든 등급은 Tj = 25 oC에 대해 규정되어있다.

그렇지 않으면 진술된다.

(1) 모든 전압 등급은 적용된

50Hz / 60zHz 사인 파형

온도 범위 -40 ~ + 125 oC.

(2) 10 msec. 최대 펄스 폭

(3) Tj = 125 oC에 대한 최대 값.

(4) 선형 및 지수의 최소값

파형 80 % VDRM 등급. 문 열어.

Tj = 125 ℃.

(5) 비 반복 값.

(6) di / dt 값은 다음에 따라 정해진 다.

EIA / NIMA 표준 RS-397, 섹션

5-2-2-6. 정의 된 값은 addi-

스 너버 (snubber) 회로에서 얻은 결과와 비교하면,

0.2 F 커패시터와 20 옴

사이리스터와 평행 한 저항

테스트.

차단 - 차단 상태

VRRM (1)	VDRM (1)
20	1800

V _RRM = 반복 피크 역 전압

V _DRM = 반복적 인 피크 오프 전압

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

100 mA

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

전도 - 온 상태

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)M		1000		A	Sinewave,180^o conduction,T_sink=55^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		2000		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		20		KA	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		2x10⁶		A²s	10.0 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I =2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.42		V	I_TM =2000 A; T_j = 125 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

전기적 특성 및 등급

게이팅

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		- 300 -		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3.0 -		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		5		V

동적

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		1.6	0.8	ms	I_TM =500 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q		-	25	ms	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		-	-	mC	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V

* 보장 된 최대량을 위해. 값은 공장에 문의하십시오.

온도 및 기계적 특성 및 등급

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		- -		K/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistance - case to heatsink	R_Q_(c-s)		- -		K/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistance - junction to heatsink	R_Q_(j-s)		0.02 0.04		K/W	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	P	19	26		kN
Weight	W			-	g	about