중국 가격 전문 비대칭 티리 스터 341A
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인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Air |
포트: | Shanghai |
모형: YZPST-KN341A24
상표: yzpst
비대칭 티리스터
YZPST-KN341A24
비대칭 갑상선 응용
특징 : . 모든 확산 된 구조 . 중앙 증폭 게이트 구성 . 최대 2000 볼트의 성능 차단
. 최대 턴 오프 시간을 보장 합니다. 높은 DV/DT 기능 . 압력 조립 장치
전기 특성 및 등급
차단 - 상태
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
10 |
2400/2800 |
10 |
v rrm = 반복 피크 역전 전압
v drm = 반복 피크 상태 전압
v rsm = 비 반복 피크 역전 전압 (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
5 mA 40 mA (3) |
Critical rate of voltage rise (4) |
dV/dt |
1000 V/msec |
메모:
달리 명시되지 않는 한 모든 등급은 TJ = 25 OC에 대해 지정됩니다.
(1) 모든 전압 등급은 온도 범위 -40 ~ +125 OC에 걸쳐 적용된 50Hz/60zHz 정현파 에 대해 지정됩니다.
(2) 10msec. 맥스. 펄스 폭
(3) TJ = 125 OC의 최대 값.
(4) 80% 등급의 VDRM으로 선형 및 지수 파동에 대한 최소값. 게이트 열기. TJ = 125 OC.
(5) 비 반복 가치.
(6) DI/DT의 값은 EIA/NIMA 표준 RS-397, 섹션 5-2-2-6을 사용하여 확립된다. 정의 된 값 은 Snubber 회로에서 얻은 값에 추가 됩니다.
테스트 중인 스리 스터와 병렬로 0.2 ℃ 커패시터 및 20 옴 저항을 포함합니다 .
상태에서 수행
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
341 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc =85oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
1040 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
5700 |
|
A
A |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.5 |
|
KA2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.45 |
|
V |
ITM = 1000 A; Duty cycle £ 0.01%
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
2000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
전기 특성 및 등급
게이팅
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
10 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
400
|
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
- |
|
V |
|
동적
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
|
1 |
ms |
ITM =50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
- |
- |
55 |
ms |
ITM =500 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
|
mC |
ITM =500 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
* 보장 된 Max. 가치, 공장에 연락하십시오.
열 및 기계적 특성 및 등급
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c)
|
|
|
- - |
K/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
|
- - |
K/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to sink |
RQ (j-s) |
|
|
50 100 |
K/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
5 |
9 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
|
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